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Infrared锑化铟 碲镉汞MCT光电探测器 波长范围1微米到5.5微米
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Infrared锑化铟 碲镉汞MCT光电探测器 波长范围1微米到5.5微米

Infrared锑化铟碲镉汞MCT光电探测器波长范围1微米到5.5微米

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产品特性:高精度产品类型:光电探测器品牌:InfraRed Associates
型号:IS-0.25,IS-0.5批号:1应用领域:测量仪器

波长范围1μm-5.5μm,InSb/HgCdTe,锑化铟/碲镉汞探测器

美国InfraRed Associates公司为热成像、科研以及光谱学等应用提供锑化铟/碲镉汞探测器和锑化铟/碲镉汞双色红外探测(InSb/HgCdTe 2-color),这些Infrared探测器各有各的优势和特点,以下简单介绍这几款Infrared锑化铟/碲镉汞MCT探测器。

光伏锑化铟探测器(InSb Detectors):

InfraRed Associates提供的光伏锑化铟探测器是利用单晶材料通过介子技术形成p-n结,这种工艺可生产出较高质量的光电二极管,并且在1μm至5.5μm波长区域表现出***的电光性能。这些二极管是背景限制(BLIP)的探测器,其性能可通过空间(冷却FOV stops)或光谱(冷却干扰滤波器)减少背景来提高。


图2:D*值曲线图

光电效应是指当适当波长的辐射入射到p-n结时,p-n结上会产生电势。当光子通量照射到交界时,如果光子能量超过禁带间隙能量,就会形成电子-空穴对。


磁场将电子从p区扫向n区,将空穴从n区扫向p区。这一过程使p区为正,n区为负,并在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。该电路由信号和噪声电流发生器与电阻和电容项并联组成。


图3:InSb探测器的等效电路图


当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而改变工作曲线时,探测器应反向偏置,使其回到工作点:零电压。

这可以通过使用匹配的前置放大器来实现,例如IAP-1000IS。探测器前置放大器系统在探测器噪声受限模式下工作,需要双路输出电源。


光伏锑化铟探测器的应用:

- 医疗热成像

- 热成像

- 光谱学

- 辐射测量

- 科研

- 红外显微镜


光伏锑化铟探测器的规格参数:


碲镉汞(MCT)探测器(Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe)):

InfraRed Associate提供完整系列的光电导碲镉汞 (HgCdTe) LN2 和 TE 冷却探测器。通过调整这种三元化合物的合金成分,可以改变波长响应。

操作这些光电导碲镉汞探测器时需要偏置电压,并确定值以实现信噪比。InfraRed Associates的探测器在性能上通常受到背景噪声的限制。

标准LN2冷却和TE冷却(LN2 cooled and TE cooled)MCT探测器的响应如下图所示,图中给出的是FOV60度下的D*值和响应度。数值因元件尺寸和封装而异,请参阅规格表,了解与探测器要求相对应的数据。


标准LN2冷却和TE冷却(LN2 cooled and TE cooled)MCT探测器的响应图


光电导碲镉汞探测器的应用:

- 医学热成像

- 热成像

- 傅立叶变换红外光谱仪

- 分析仪器

- 科研

- 污染监测


锑化铟/碲镉汞双色红外探测器(InSb/HgCdTe 2-color):

InfraRed Associates为商业和军事应用提供InSb/HgCdTe 双色红外探测器。这些探测器可对红外光谱中不同但相邻的区域做出响应,一个元件响应短波长辐射,另一个元件响应长波长辐射。

锑化铟/碲镉汞双色红外探测器的规格参数:


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