Optodiode近红外发光二极管，高光输出，耐辐射性高

Optodiode近红外发光二极管有高耐辐射性，高光输出的特点，有窄角、中角、广角三种类型，窄角适合长距离应用，中角可以实现覆盖范围/功率密度，广角覆盖大面积。

Optodiode近红外LED中OD-800F型号特征

高光输出、810nm峰值发射、密封金属TO-46封装、窄角度，适合长距离应用、耐辐射性高、***的功率衰减特性、快速响应、提供MIL-S-19500筛查、无内部涂层在IF=100mA时，总功率输出***小值是1.5mW，典型值是3mW。IF=50mA，峰值发射波长810nm，光谱带宽在50%典型值是50nm，半强度光束角是8°。IF=100mA，正向电压典型值1.45V，值1.8V。IR=10μA，反向击穿电压***小值是3V，典型值4V。VR=0V，电容典型值是150pF。上升与下降时间都是60纳秒。

参数单位：功耗180mW，连续正向电流100mA，峰值正向电流（10μs，150Hz）3A，反向电压3V，引线焊接温度240°C。

存储和工作温度范围-65°C至150°C，结温150°C，热阻1典型值400°C/W，热阻2典型值135°C/W。

OD-800L、OD-800W与OD-800F型号参数差不多，除了角度不一样，IF=50mA，OD-800L半强度光束角是35°，OD-800W半强度光束角是80°。

近红外发光二极管（IRLED）采用宽、中或窄输出模式制造，采用坚固的气密密封封装。金属外壳是散热的理想选择，工作温度范围为-65°C至+150°C。光电二极管的IRLED提供***的线性功率输出，并提供高速等级。

Optodiode近红外发光二极管有窄角、中角、广角三种类型，窄角近红外发光二极管半强度光束角是8°，中角近红外发光二极管半强度光束角是35°、广角半强度光束角是80°，不同角度的近红外发光二极管输出功率不一样。

Optodiode近红外LED采用TO-46密封封装，具有高光输出，耐辐射性高等特点。窄角近红外发光二极管适合长距离应用，中角近红外发光二极管发射角中等可以实现覆盖范围/功率密度，广角近红外发光二极管发射角度广，覆盖大面积。Optodiode近红外发光二极管有810nm和850nm两种波长。

窄角、中角、广角三种类型近红外发光二极管的区别

OD-850F窄角近红外发光二极管工作温度-40°C-100°C，视角8°，波长850nm，电流直流值100mA，正向电压典型值1.6V。

OD-850F窄角近红外发光二极管具有高光输出、850nm峰值发射、密封TO-46封装、窄角近红外发光二极管适合长距离应用等特点。

OD-850F窄角近红外发光二极管在IF=100mA时，总功率输出***小值是22mW，典型值是30mW。IF=20mA，峰值发射波长850nm，光谱带宽在50%典型值是40nm，半强度光束角是8°。IF=100mA，正向电压典型值1.6V，值2V。IR=10μA，反向击穿电压***小值是5V，典型值30V。IFP=50mA，上升与下降时间都是20纳秒。

OD-850F窄角近红外发光二极管参数单位：功耗200mW，连续正向电流100mA，峰值正向电流（10μs，200Hz）300mA，反向电压5V，引线焊接温度260°C。

OD-850F窄角近红外发光二极管存储和工作温度范围-40°C至100°C，结温100°C，热阻1典型值400°C/W，热阻2典型值135°C/W。

OD-850L中角、OD-850W广角除了输出功率和角度与OD-850F窄角不一样，其他参数都一样。在IF=100mA时，OD-850L总功率输出***小值是25mW，典型值是35mW，半强度光束角是35°。在IF=100mA时，OD-850W总功率输出***小值是30mW，典型值是40mW，半强度光束角***小值是70°典型值是80°。

OD-850FHT、OD-850WHT、OD-850LHT除了输出功率、角度和工作温度与OD-850F不一样，其他参数都一样。OD-850FHT总功率输出***小值是17mW，典型值是22mW，半强度光束角是8°；OD-850WHT输出功率典型值是26mW，半强度光束角***小值是70°典型值是80°；OD-850LHT总功率输出***小值是18mW，典型值是22mW，半强度光束角是35°。OD-850FHT、OD-850WHT、OD-850LHT存储和工作温度范围-65°C至150°C，结温150°C。