Opto Diode红外激光二极管，***直流稳态准黑体红外发射源

Opto Diode生产多种的红外发射器，用于气体分析、环境监测、光谱学和过程控制。从稳态发射器到大功率稳态发射器，再到黑体辐射脉冲光源和黑体辐射快速脉冲光源

Opto Diode生产五个系列的红外直流发射器，用于各种医疗和工业领域，包括气体分析、环境监测、光谱学和过程控制。从稳态 （直流电） 发射器（SA系列）到大功率稳态发射器（SHA系列），再到黑体辐射脉冲光源（SVF系列）和黑体辐射快速脉冲光源（SPF系列），到带有集成驱动电子元件的高速红外发射器（PIREPLUS），相信这些***产品一定可以满足客户苛刻的需求。

稳态SA系列红外直流光源

SA系列红外直流光源被设计用来作为黑体辐射稳态发射源，盘绕灯丝型SA发射器采用蓝宝石或氟化钙窗口的TO5和TO8封装，发射率典型值0.70。

红外发射二极管的关键特点

-稳态（直流）发射器

-在光谱范围近似于一个黑体

-特定镀膜的盘绕灯丝

-反射面可以得到准直且均匀的辐射

-发射率典型值0.70

红外发射二极管的灯丝温度与输入功率

Opto Diode SA系列红外发射器被设计用来作为直流稳态黑体辐射发射器，发射器中的辐射元件是一个盘绕的灯丝，采用的特定材料，用发射率典型值为0.70的特定镀膜。输出的辐射在光谱范围里近似成一个黑体。SA系列发射器被设计用于1170 K的额定灯丝温度下工作。标准SA系列发射器提供多种型号，具有特定的灯丝直径和线圈数量，以提供灯丝温度1170 K时所需的输入/输出功率。标准窗口材料可根据感兴趣的特定波长范围定制输出。标准模型包括一个抛物面反射器，以提供近乎准直和均匀的辐射输出。

稳态发射器被设计用于灯丝温度约为1170K（900°C）的条件下工作额定输入功率。超过此值将提高元件温度并缩短发射器寿命。因为辐射能量与温度（T4）的第四次方成正比，***控制输入功率和封装的适当散热对于保持恒定的元件温度和输出是很重要的，散热器必须将封装温度限制在不超过100°C。峰值波长与黑体辐射温度之间的关系由维恩定律表示为：

λpk(microns) x T (K) = 2898

因此，输出的波长随着温度变化而变化。在温度为1170 K，峰值波长为2.5 um。SA系列稳态发射器是一个发射率0.70的准黑体。发射率定义为一个比值：实际辐射源的辐射能量与同温度下的黑体辐射的比值。

驱动电路

任何具有适当额定值的恒压或恒流直流电源。

黑体辐射发射率（出射度）

SA系列发射器在特定温度下近似一个黑体，如所示为黑体辐射-温度曲线。

窗口传输光谱

TO5封装的功率随角度，距离分布曲线

伏安特性曲线如图，额定功率时的温度为1170K，超过这个值会导致元件温度升高，使用寿命降低。

功率随角度的分布取平行于元件轴向和垂直于轴向的平均值，可以看出0°方向的功率是值，偏离的角度越大，功率密度随之降低。

功率沿径向距离的分布。可以看出，功率大小随径向传播距离的增大而减小。

伏安特性曲线如图，额定功率时的温度为1170K，超过这个值会导致元件温度升高，使用寿命降低。

功率密度随角度的分布，取平行于元件轴向和垂直于轴向的平均值，可以看出0°方向的功率是值，偏离的角度越大，功率密度随之降低。

功率密度沿径向距离的分布，可以看出，功率大小随径向传播距离的增大而减小。