Opto Diode红蓝增强型探测器，低电容，400-740nm

Opto Diode红蓝增强型探测器波长范围在400-740nm之间，也可以称之为400-740nm光电探测器。可见光增强型探测器波长为450nm时灵敏度***小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。Opto Diode光电二极管波长为632nm时***小值是0.3***/W，典型值是0.4A/W。

Opto Diode提供高质量的标准和定制的可见光谱硅光电二极管。我们有各种各样低暗电流和低电容的器件。400-740nm光电探测器可以在400-740nm之间的响应，我们生产的红蓝增强型探测器适用于许多应用。对于大批量的需求，您可以直接找我们订购。

Opto Diode光电二极管存储和操作温度范围为-55°C至100°C，结点温度100°C，引线焊接温度260°C。Opto Diode可见光增强型探测器总共有14个型号，有效面积为1~42mm，用三种方式进行密封包装，这三种方式分别是TO-5、TO-8、TO-18。Opto Diode可见光增强型探测器有低暗电流、低电容、圆形有效区域、芯片尺寸可以优化等特点，优化的芯片尺寸可以获得的信号。

Opto Diode可见光增强型探测器是增强型光电二极管，红色增强型光电二极管标准品的波长为632nm，蓝色增强型光电二极管标准品的波长为450nm。对于红蓝增强型探测器的其他波长可以找我们定制，蓝色增强型探测器波长为450nm时灵敏度***小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。红色增强型探测器波长为632nm时***小值是0.3***/W，典型值是0.4A/W。

Opto Diode光电二极管型号：

ODD-1、ODD-1W、ODD-1B和ODD-1WB在25°时的光电特性

TO-18封装、***格式、低暗电流、低电容。

活动区域是1.35mmx0.76mm时,活动区域的典型值是1mm。VR=10V时暗电流的典型值是0.2nA，值是1nA。当电阻的电流为IR=10A时，反向击穿电压***小值是25V,典型值是60V。VR=10V测试条件下，上升时间典型值为8纳秒，值是15纳秒。在Vf=1V时，串联电阻的典型值为25欧姆，值是60欧姆。ODD-1、ODD-1W、ODD-1B和ODD-1WB的特点一样，除了灵敏度和电容不一样。ODD-1B和ODD-1WB在450nm的波长下灵敏度***小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W，当电阻的电压是VR=10V时，电容值是2pF，典型值是0.5pF。ODD-1和ODD-1W在632的波长下灵敏度***小值是0.36A/W，典型值是0.40 A/W，当电阻的电压是VR=10V时，电容值是2pF，典型值是0.2pF。

ODD-12W、ODD-12WB（红蓝增强型探测器）在25°时的光电特性

TO-8密封封装、圆形有效区域、低电容。

在直径为4mm测试条件下，活动区域的典型值是12mm。在VR=10V测试条件下，暗电流的典型值是3nA，值是7nA。在电阻的电流为IR=10A测试条件下，反向击穿电压***小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下，电容的典型值是25pF。在VR=10V测试条件下，上升时间典型值为15纳秒。在Vf=1V时，串联电阻的典型值为35欧姆，值是100欧姆。ODD-12W和ODD-12WB除了灵敏度不一样，其他都一样，ODD-12W在632nm的波长下灵敏度***小值是0.3***/W，典型值是0.40 A/W，ODD-12WB波长为450nm时灵敏度***小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

ODD-15W、ODD-15WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-5密封封装、优化的芯片尺寸以获得的信号、低电容。

在6.27mmx2.52mm测试条件下，活动区域的典型值是15.8mm。在VR=10V测试条件下，暗电流的典型值是4nA，值是10nA。在电阻的电流为IR=10A测试条件下，反向击穿电压***小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下，电容的典型值是30pF。在VR=10V测试条件下，上升时间典型值为20纳秒。在Vf=1V时，串联电阻的典型值为35欧姆，值是100欧姆。ODD-15W和ODD-15WB的特点一样，除了波长的灵敏度不一样，ODD-15W波长为632nm时灵敏度***小值是0.3***/W，典型值是0.4A/W，ODD-15WB波长是450nm,灵敏度***小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

ODD-42W、ODD-42WB红蓝增强型探测器在25°时的光电特性

TO-8密封封装、优化的芯片尺寸以获得的信号、低电容。

在9.91mmx4.28mm测试条件下，活动区域的典型值是42mm。在VR=10V测试条件下，暗电流的典型值是11nA，值是25nA。在电阻的电流为IR=10A测试条件下，反向击穿电压***小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下，电容的典型值是85pF。在VR=10V测试条件下，上升时间典型值为35纳秒。在Vf=1V时，串联电阻的典型值为35欧姆，值是100欧姆。ODD-42W和ODD-42WB只有灵敏度不一样，ODD-42W波长为632nm时灵敏度***小值是0.3***/W，典型值是0.4A/W，ODD-42WB波长为450nm时灵敏度***小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WB***L、ODD-5W***L在25°时的光电特性

TO-5密封封装、圆形有效区域、低电容。

在直径为2.52mm测试条件下，活动区域的典型值是5mm。在VR=10V测试条件下，暗电流的典型值是1nA，值是3nA。在电阻的电流为IR=10A测试条件下，反向击穿电压***小值是25V,典型值是60V。在电阻的电压为VR=10V测试条件下，电容的典型值是11pF。在VR=10V测试条件下，上升时间典型值为10纳秒。在Vf=1V时，串联电阻的典型值为35欧姆，值是100欧姆。ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WB***L、ODD-5W***L的特点一样，除了灵敏度不一样，ODD-5W和ODD-5W***L在632nm的波长下灵敏度***小值是0.3***/W，典型值是0.40 A/W，ODD-5WB和ODD-5WB***L在450nm的波长下灵敏度***小值是0.2A/W，典型值是0.28 A/W。

ODD-1型号光电特性图

从电容与偏置电压图中可以看到电容与偏置电压成反比，电容随着偏置电压的增大而减小。从典型的光谱响应图中可以看到灵敏度随着波长增加而变大，当波长达到980nm左右，灵敏度达到值。当达到值后，灵敏度会随着波长增加而减小。从暗电流与电容关系图中，可以看到暗电流随着电压的增大而增加。想知道更多型号的光电特性图，可以联系我们。