OSI硅光电二极管，紫外-近红外

硅光电二极管是一种半导体器件，用于检测紫外线至近红外区域的光。OSI Optoelectronics已开发出多种适用于该光谱范围内大量应用的OSI Optoelectronics硅光电二极管，这些OSI硅光电二极管适用于该波段内的众多应用，例如：位置感应、功率监测、***与伽马射线检测等。如需定制OSI光电二极管，请咨询我们。

OSI硅光电二极管总共有36种类型，包括1064nmNd:YAG光电二极管、Nd:YAG光电二极管、雪崩光电二极管(APD)、背照式SMT光电二极管、反向散射光电探测器、蓝色增强光电二极管、放大器混合型探测器滤光片组合、位置传感探测器、线性阵列光电二极管、紫外线增强***QE光电二极管等等。

OSI 1064纳米Nd:YAG光电二极管

Nd:YAG系列OSI硅光电探测器针对1064nm波长（Nd:YAG激光光源）进行了优化。它们具有低电容和快速响应时间。由于其低噪声和高响应性，它们是测量低光强度的理想选择，例如测距应用中由Nd:YAG激光束照射物体反射的光。

OSI硅光电探测器既可以在光伏模式（无偏置）下运行，适用于对低噪声有要求的应用场景，也可以在光电导模式下偏置运行，适用于高速应用。

雪崩光电二极管

硅雪崩光电二极管利用内部倍增效应，通过碰撞电离实现增益。其结果是一系列优化的高响应度器件，表现出优异的灵敏度。OSI提供多种尺寸的OSI光电二极管，适用于光纤应用，这些OSI Optoelectronics硅光电二极管可配备平面窗口或球形透镜。

蓝色增强光电二极管

       硅蓝色增强光电二极管用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用，蓝色增强光电二极管系列在可见光蓝色区域增加了额外的灵敏度。光谱响应范围从350到1100纳米，使得常规光伏器件非常适合可见光和近红外应用。这些OSI Optoelectronics硅光电二极管具有高分流电阻和低噪声，并具有长期稳定性。在直流或低速应用中，这些OSI光电二极管的无偏差运行可在较大的温度变化下保持稳定。对于高光强(大于10mW/cm2)情况，应考虑使用光导系列探测器以获得更好的线性度。