OSI InGaAs光电二极管，700nm-1700nm

OSI InGaAs光电二极管是用于检测近红外(700nm-1700nm波长)光的半导体器件。OSI Optoelectronics已经开发了各种各样的设备，适用于该频谱范围内的大量应用，如:背面检测、功率监测、DWDM组件、OTDR测量等。

OSI Optoelectronics的10Gbps光电二极管FCI-InGaAs-36C是一款支持OC-192(SONET/SDH)的光敏器件，具有低暗电流和良好的性能稳定性。FCI-InGaAs-36C暗电流是0.5nA，电容是0.16pF，在1310nm处的响应度是0.8***/W，芯片大小是450x250μm，有效面积是36μm。

阳极和阴极触点均位于芯片顶面。OSI铟镓砷光电二极管FCI-InGaAs-36C是10Gbps高速数据传输应用的理想元件、它的光谱范围从910nm到1650nm。

OSI Optoelectronics的***产品系列包括***反射率光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为电信应用而设计，在1520nm至1620nm波长范围内的典型光学反射率低于0.6%。通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积***多层抗反射涂层，实现了在宽波长范围内的***反射率。

OSI铟镓砷光电二极管阵列型号

FCI-InGaAs-300B1XX系列是多功能背照式OSI InGaAs光电二极管阵列。它们的标准配置是有源面积为300um的4或8元阵列。背照式InGaAs光电二极管阵列可倒装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统安装方式（有源区朝上），也可以朝下组装，从而限度地减小整体尺寸。这些低电感、低暗电流和低电容背照式光电二极管阵列可使用或不使用陶瓷基板。

FCI-InGaAs-XXM系列是线性阵列光电二极管，具有4、8、12和16个阵列，是OSI光电高速红外敏感OSI InGaAs光电探测器阵列的一部分。每个AR涂层的元素是能够2.5Gbps的数据速率表现出从1100纳米到1620纳的高响应性。

检测器放大器混合

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的紧凑型高速OSI InGaAs光电探测器。将探测器和跨阻放大器集成在一个密封的4引脚TO-46封装中，为高速信号放大提供了理想的条件。高速度和高灵敏度使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列还提供FC、SC、ST和SMA插座。

高速光电二极管

FCI-InGaAs-XXX系列具有75μm、120μm、300μm和500μm的活动区域尺寸，具有数据通信和电信应用所需的特性。这些器件在1100纳米到1620纳米范围内具有低电容、低暗电流和高响应度的特点，是局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想之选。光电二极管封装在3铅隔离的TO-46罐或与AR涂层的平面窗口或微透镜，以提高耦合效率。FCI- InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA插座。