Opto Diode近红外和红光增强光电探测器，高灵敏度，小尺寸

Optodiode近红外增强型光电探测器是小尺寸，可以减小占地面积。Optodiode近红外和红光增强光电二极管具有坚固的表面贴装器件，适用于高温操作、雨水和阳光感应应用。

Opto Diode进的NXIR系列近红外增强型光电二极管的设计是为了在630纳米至1100纳米的光谱范围内实现***的性能。对于集成光子系统来说，减少占地面积的芯片产品是激光二极管背面监测的***选择。NXIR系列的***新产品具有坚固的表面贴装器件（SMD）技术，适用于高温操作、雨水和阳光感应应用。

近红外和红光增强(NXIR)光电二极管型号

NXIR-RF36光电二极管的特点

NXIR-RF36光电二极管是近红外小尺寸光电二极管，光敏有效区域是0.6mmx0.6mm。NXIR-RF36光电二极管工作温度是-40°C至+110°C，NXIR-RF36光电二极管符合RoHS和REACH标准，是大批量激光监测应用的理想选择。

NXIR-RF36光电二极管存储和工作温度范围-40°C至110°C，结点温度110°C。NXIR-RF36光电二极管有效面积的典型值为0.36mm,在850nm的波长下，灵敏度是0.6***/W，在Vr=3V时，暗电流的典型值是0.05nA,值是0.3nA。在VR=10mV时，分流电阻***小值是200MΩ，典型值是1000MΩ。在IR=10A时反向击穿电压为25V，在VR=0V的测试条件上，电容的值为8pF。VR=10V时上升时间典型值为8纳秒，值为15纳秒。

NXIR-RF100光电二极管的特点

NXIR-RF100光电二极管是Optodiode近红外增强型光电探测器，光敏有效区域是1mmx1mm。NXIR-RF100光电二极管有高灵敏度，=850nm灵敏度是0.62A/W，=1064nm灵敏度是0.3***/W。NXIR-RF100光电二极管工作温度是-40°C至+125°C。NXIR-RF100光电二极管符合RoHS和REACH标准，是激光监测应用的理想选择。

存储和工作温度范围-40°C~125°C，结点温度是125°C。NXIR-RF100光电二极管有效面积的典型值为1mm,在850nm的波长下，灵敏度是0.62A/W，在1064nm下，响应速度是0.3***/W。光谱响应范围λ为320nm~1100nm。在Vr=3V时，暗电流的典型值是0.1nA,值是0.75nA。在VR=10mV时，分流电阻***小值是200MΩ，典型值是500MΩ。在IR=10A时反向击穿电压为50V，在VR=0V的测试条件上，电容的值为3pF。VR=5V时上升时间典型值为50纳秒。

NXIR-RF74光电二极管的特点

NXIR-RF74光电二极管是近红外小尺寸光电二极管，光敏有效区域是0.86mmx0.86mm。NXIR-RF74光电二极管有高灵敏度，=850nm灵敏度是0.6***/W。NXIR-RF74光电二极管工作温度是-40°C至+110°C。NXIR-RF74光电二极管符合RoHS和REACH标准，是大批量激光监测应用的理想选择。

NXIR-RF74光电二极管有效面积的典型值为0.74mm，当波长为850nm时，灵敏度是0.6***/W。在Vr=3V时，暗电流的典型值是0.1nA,值是0.75nA。在VR=10mV测试条件下，分流电阻的***小值是200MΩ，典型值是800MΩ。IR=10A，反向击穿电压***小值为25V，在VR=0V的测试条件上，电容的值为8pF。VR=10V时上升时间典型值为8纳秒，值为15纳秒。

Optodiode近红外和红光增强光电二极管是高灵敏度光电二极管，在400nm-1100nm时灵敏度是0.3***/W-0.6***/W。Opto Diode近红外和红光增强光电探测器有效面积是1mm，是小尺寸光电二极管。Optodiode近红外增强型光电探测器符合RoHS和REACH标准，是大批量激光监测应用的理想选择。近红外和红光增强光电探测器工作温度范围宽，可以在-40°C~125°C左右工作。

NXIR-RF74光电二极管在25°时的光电特性

从光谱响应图可以看到在波长850nm之前，灵敏度是随着波长增加而增大，在波长900nm之后，灵敏度随着波长增加而减小。