美国TERASENSE进口 IMPATT 太赫兹源 太赫兹发生器+100mW高功率

IMPATT DIODE，产生太赫兹波，产生高功率太赫兹波

IMPATT太赫兹源，亚太赫兹源，太赫兹发生器 THz-IMPATT崩雪二极管——维尔克斯光电***提供

Terasense太赫兹源的产品特点：

可根据客户需求定制快速的太赫兹成像系统

TERASENSE公司提供高功率IMPATT DIODE太赫兹源

标准版输出频率100GHz，140GHz，300GHz，标准输出功率是10mw-100mw。

窄线宽<1mhz，

使用寿命1000小时

可选配TTL调制模块

调制上升沿时间1us

IMPATT DIODE太赫兹发生器，IMPATT亚太赫兹源

美国TERASENSE公司提供百毫瓦量级的IMPATT太赫兹源。亚太赫兹源IMPATT又名崩雪二极管，IMPATT二极管是一类非常高效的微波和亚太赫兹波发生器件，其工作频率范围约为80-300GHz，窄线宽<1mhz。***主要的优点是他们具有很高的输出功率和紧凑小巧的外形封装。impatt具有非常窄的工作频率带宽，所以二极管内部尺寸必须根据响应的频率来设计。

IMPATT二极管是“Impact ionization Avalanche Transit-Time二极管”的缩写，翻译过来就是碰撞雪崩（IMP）和渡越时间(ATT)二极管，代表一种高功率半导体二极管，通常用于高频微波器件。IMPATT二极管早在1958年就由贝尔实验室的W. Т. Read提出。目前，雪崩二极管已成为常用的固体微波功率源。在整个微波频率范围（约1千兆赫至10千兆赫）的接收机和某些发射机内可获得足够的连续波功率，该技术允许在几GHz到几百GHz的频率范围内产生亚太赫兹波。

IMPATT diode是一种具有负阻特性的周态微波二极管，其特性系由薄基片中的碰撞雪崩击穿效应和载流子渡越时间效应结合产生，而基片通常由砷化镓或硅制成。当将这种二极管适当地安装在可调谐腔体或波导中时，由载流子渡越时间引起的负阻被用作振荡器以产生微波振荡。 与其他类型的二极管发电机相比，IMPATT******的特点是高功率能力。

IMPATT二极管的特点：

- 大功率（~100mW）

- 供电稳定

- 固定频率

- 体积小

- ***

- 使用寿命长

IMPATT二极管的工作原理

IMPATT二极管具有和标准PN结类似的I-V特性（图1a）。当***电压达到时，二极管开始正向导通，阻断反向电流。但是，当电压高于击穿电平时，发生雪崩击穿，电流反向流动。

在具有不同类型的半导体结构的IMPATT二极管中可以产生微波。但是，IMPATT二极管的工作原理便于以p + - n - i - n + - 二极管结构为例来说明（图1b）。这里，雪崩倍增和载流子漂移的区域在空间上是分开的。电场强度发生在p + - n - 二极管结的区域（图1e）。

电场在n区域急剧下降，在i区域几乎保持不变。该区域在高反向电压下完全耗尽。当反向电压增加时，某一点的连接处的电场将超过击穿的值。击穿导致碰撞电离系数α达到高值。由于α强烈依赖于电场强度，所以碰撞电离区域的范围很小。

雪崩增加了自由电子的数量，这个区域被称为雪崩倍增区域。形成的空穴由结的内部电场携带到p +区域，并且到达i区域的电子在恒定电场中移动到n +区域（图1c）。如果轻掺杂区域的电场强度高，则电子速度几乎保持恒定。

发生等速电子运动的耗尽区域称为漂移区。由于差分电子迁移率接近零，当电子移动时，体积电荷密度不会降低。

IMPATT太赫兹源电路

通过IMPATT二极管的电流应该受到一定的限制。为了实现这一点，维尔克斯光电代理的Terasense设计了一个***电路，一个电源通过一个限流电阻驱动二极管，此外，射频信号的直流隔离由射频扼流圈完成。 IMPATT二极管应该集成在一个调谐电路中，通常是一个波导腔。 一旦施加电源电压，该电路中就会出现振荡。

TeraSense公司IMPATT太赫兹源技术参数：

TeraSense公司IMPATT雪崩二极管规格参数：